您当前的位置：首页 >> 家居装修

此后聊聊CMOS，一个永远也无法忽视的图像专有名词

2025-05-08 09:46:46

到的大于的Masked pixels是来自三星电子于2019年发布的0.8μmGM1以及2020年发布的GD1（右图）。他们都是运用于四VGA合成核心技术的方样式在你电子设备上解决问题，并应用于明了地下通道来大幅提很高PDAF输借助于。

由于基于OCL的PDAFVGA不会壮烈表覆盖面积，并且由于基于抗蚀剂（ resist-based）的工艺易于扩展，因此OCL-PDAF被用以生成更大的0.7μm电子设备，并且随着0.6μmVGA生成的解决问题，OCL-PDAF有望之后应用于。

此外，随着自动对焦的有利于完善，传统观念的2x1 OCL结构上现已演变为2x2 OCL结构上，以促进X和y路径上的PDAF。右图看出了推论到的在应用于当中的相同2×2 OCL工具。近来在0.7μm、6400万VGA的OV64B当中推论到，豪威新材料应用于相当于2x2VGA的大型OCL，而三星电子应用于一对相邻的2x1 OCL来解决问题2x2缺点，就像在去年推借助于的0.8μm、1.08亿VGA的HM1和HM3以及0.7μm的PI当中所推论到的那样。在近来VGA宽度为 0.7 μm的HM2上，OCL-PDAF 不一定用绿色地下通道（green channe）来替换黄色和蓝色地下通道，以解决问题仅有化的输借助于路径，其PDAF 两组密度为 32:1 或 36:1。

相比之下较，SONY引于是又入了全都模组2x2 OCL工具，其当中微透镜（microlens）的VGA不等是整个有源模组的两倍。这最初是在2020年发布的，1.12 μm、4800万VGA的电子设备IMX689上认出的。，而近来也在IMX766和IMX789上推论到。由于全都模组自动对焦没有PDAF专用VGA，因此所有VGA都可用以图表采集。

如右图示意图，由于VGA内沟冷水隔离（ in-pixel trench isolation），双光电继电器全都模组（Dual Photodiode full array）PDAF一直是“大VGA”PDAF工具。SONY在IMX700当中发布了Octa-PD核心技术，这是一款1.22μm、5000万VGA的Quad-Bayer CIS，它在所有彩色地下通道当中的每个VGA都有2个光电继电器。而三星电子在GN2当中引于是又入了一种简化的双光电继电器PDAF工具。这举例来说是一款1.40μm、5000万VGA的电子设备，较强倾斜的绿色地下通道（slanted green channel）in-pixel DTI，有利于X和X路径的PDAF。三星电子目前为止保持着在GN1当中创造的1.2μm的大于VGA厚度双光电继电器PDAF工具的纪录。

对于小VGA厚度的智能Android电子设备，极低光能条件下的很高路径输借助于之后驱动Color Filter Array（CFA）mosaic和pixel-binning重组联合作战。右图看出了智能Android图表电子设备CFA图案的精度和VGA厚度。2019年，SONY在IMX608当中应用于了4x4 组工具。2020年，三星电子在1.08亿VGA的电子设备（HM1、HM2和HM3）当中运用于的是3x3VGA组建议书，并将其定名为为Nanocell。

右图看出了智能Android图表电子设备的mosaics当中CFA宽度与pixel-pitch的对比：拜耳、2x2、3x3和4x4）VGA厚度的亲密关系。推论到仅有CFA宽度是4.48μm的IMX608，其次的是豪威新材料2.8μm运用于4cell核心技术的OV12D2Q以及三星电子运用于四VGA合成核心技术的GN2。从2020年的粗略估计结果来看，智能Android图表电子设备的CFA宽度变化很大，数字相若1.4μm和2.8μm错综复杂。随着VGA厚度的有利于增加，3x3和4x4Mosaics.的效率显然会降极低。

随着磁盘样式CIS/ISP Die慢慢地带进小众，对不够小的TSV/DBI物联网的需求变得至关极为重要。这是为了减低微处理器占到用覆盖面积，但不够极为重要的是为了促进VGA级物联网。右图看出了2014年至2021年间量化的所有磁盘样式电子设备的Cu-Cu混合键合的DBI宽度趋向。在大多数情况下，外围的讫/罗列物联网一直是直到现在的小众建议书，推论到的讫/罗列物联网大于的TSV/DBI宽度为3.1μm。

然而，到迄今为止，仅有3款已经商用的图表电子设备并用VGA级物联网进讫量化，分别是来自苹果公司2020 iPad Pro上的SONYSPAD电子设备（150 X 200）、SONY SensSWIR IMX990/991 VGA电子设备和豪威新材料的OG01A1B（100万VGA）。其当中，豪威的OG01A1B的DBI物联网宽度大于，降至了2.2μm，SONYSPAD电子设备的DBI宽度观测值为5.0μm。

近年来，NIR（Near-Infrared）大幅提很高在安全都监视、测距应用以和机体器视觉特别赢得了很多关注。为了提升NIR各地区内的广义相对论效率，我们采取的一种有效工具就是降极低CIS的活性锗宽度（active silicon thickness），使其最多用以小众路径移动应用以的宽度。右图看出了背照样式电子设备的活性锗宽度趋向，突借助于了每个应用以。NIR大幅提很高电子设备的密切相关宽度一般在5.9-7.1μm，这与用以小众CIS的3.0-4.1μm的宽度数值形成对比。

缓解QE的另一个极为重要工具是通过促进衍射进于是又入EPI来减低于是又入 incident IR的反之亦然散射。我们推论到正在应用于的包括浅冷水/栅格和倒金字塔模组（IPA：Inverted Pyramid Arrays）。SONY保持着最厚的CIS EPI（IPA）纪录（6.2μm）和大于的VGA厚度（1.12μm）（IPA（2x2））。豪威新材料从浅冷水过渡到IPA，并在简介的电子设备（8 MP OS08A20）上通过扩展IPA赢得成功赢得不够很高的精度。安森美半导体和思特威分别在ARX3A0和SC5035当中演示了应用于IPA（右图）。

2020年，我们认出了3D航空器整整（TOF）图表电子设备的持续的发展，鲜为人知了在iPad Pro和iPhone 12 Pro/Max的中置摄像头模块当中首次应用于D-TOF/LiDAR磁盘样式+背照样式电子设备，即SONYSPAD电子设备。

右图包括了从VGA数、TOF工具和电子设备的设计特别量化TOF电子元件的趋向，认出来自SONY、三星电子和Gpixel为i-ToF之后推借助于VGA型电子设备。反之亦然照明的转变并用了应用于850nm-940nm NIR波长QE。对于相比之下之下/手势遏制，更大的VGA数电子设备之后占到实质上地位。

意法半导体近来推借助于了VL53L5，这是一款64地下通道前照样式D-TOF SPAD电子设备，较强多目标机体制，一般来说以段式路径移动应用以。随着对颈部识别/生物识别核心技术的赞许，可以注定，未来不够很高精度（显然是VGA级）的段式TOF显然会获得不够多的运用于。

从TOF的VGA厚度来看，如右图看出，随着背照样式电子设备的的发展趋向，小VGA的应用于于是又一愈来愈多。到迄今为止，在赛门铁克 Azure Kinect上推论到了大于的VGA厚度和最很高的精度，这是一款3.5μm、100万VGAI-TOF电子设备。

最后，我们来忘了每个应用以程序的VGA复杂性。

图18看出了以前十年当中每VGA当中有效电路生产量（Teff）的变化趋向。用以路径移动应用以的CIS不一定较强包括者VGA，以便减低Teff。相比之下较，I-TOF，特别是基于流血事件的图表电子设备，不一定并用较强较很高电路生产量的非包括者VGA，例如运用于 4-Tap pixel以解决问题厚度精度的32T三星电子I-TOF 33D和36T三星电子231YX动态视觉电子设备。

目前为止，推论到电路生产量最很高的是近来量化的52T的SONY和诺韦飞思基于流血事件的电子设备。基于流血事件的电子设备往往涉及到不够多的VGA复杂性，因为它们建构了传统观念CIS当中不应用于的VGA级机体制，例如观测路径强度的对数和VGA内整整砍的应用于。因此，基于流血事件的电子设备将正因如此于微处理器切割和VGA级物联网，可以在货车、机体器视觉以及其他应用以当中之后的发展并获得不够广泛的应用以。

说了这么多从业者理论性的研究成果章节，我们忘了全都世界cmos大厂的一于是又。

在2021年12月16日，SONY半导体解决建议书同月其已赢得成功开发借助于全都世界首个双层电路VGA切割样式 CMOS 图表电子设备核心技术，不胜负荷路径量共约提升至 2 倍，使动态各地区拓展并增很高噪点。

传统观念 CMOS 图表电子设备的光电继电器和VGA电路分布在同一基片，而SONY的新核心技术将光电继电器和VGA电路除去在相同的基片层。与传统观念图表电子设备相比之下，这一全都在此之后结构上使不胜负荷路径量共约提升至原来的 2 倍，拓展了动态各地区并增很高噪点，从而显著提升激光机体动性。运用于新核心技术的VGA结构上，无论是在意味著还是不够小的VGA厚度下，都能保持或是提升VGA原先的特性。

（传统观念的）切割样式 CMOS 图表电子设备的切割样式结构上当中，背照样式VGA组合而成的VGA微处理器切割在直觉微处理器之上，而路径处理电路构成了直觉微处理器。在VGA微处理器内，用以将光转换为电路径的光电继电器和用以遏制路径的VGA电路在同一基片层并罗列。在这样的结构上限制下，如何解决问题不胜负荷路径量的仅有化，对解决问题很高动态各地区、很高图表质量的摄影师较强极为重要效用。

SONY开发借助于的全都新结构上是切割样式 CMOS 图表电子设备核心技术的一项进步。SONY应用于专有的切割核心技术，将光电继电器和VGA电路晶圆在除去的基模版，一个切割在另一个上面。相比之下较，在传统观念的切割样式 CMOS 图表电子设备当中，光电继电器和VGA电路中间坐落同一基模版。在此之后切割核心应用软体运用于可以独立构建光电继电器和VGA电路层的架构，从而使不胜负荷路径量相比之下于传统观念图表电子设备降极低共约一倍，进而拓展动态各地区。

此外，因为通信三门 (TRG) 大部份的VGA电路，包括登位电路 (RST)、选择电路 (SEL) 和微小电路 (AMP)，都处于无光电继电器分布这一层，所以微小电路（AMP）的厚度可以降极低。通过降极低微小电路厚度，SONY赢得成功地大幅提升增很高了日夜和其他昏暗场景右图表不易产生的噪点问题。

对于拍到而言，固件当然是基础，只有在占到有良好的基础上，才能有朝着多路径全都面的发展的显然。

我是六六新材料人，我们说车谈新材料。热烈欢迎大家关注、评论、投递，大家的支持者于是又是我写作的原动力。我们下篇于是又见。

热烈欢迎有相同有兴趣的朋友加于是又入我们的微信群，近日货车、近日新材料、近日热点、近日人生。

最后，2021年快要以前，对于六六新材料人来说，内心深处正正不能平静。

海航濒临破产分拆，国内新材料企业赴马公上市热潮大幅度；

“新疆棉流血事件”爆发，受控大幅度；

自百度同月与吉利造车后，滴滴、海尔、竹叶、OPPO等厂商迅即同月自家的造车计划；

滴滴借助于讫遭遇安全都初审；苏宁易购爆借助于贷款困局；“双减”税制借助于台；

恒隆大鳄上海申花陷于是又入贷款困局；北京环球电影院玫瑰园；

美国公司升级，阿中都巴巴、美团、腾讯、百度、滴滴致使美国公司监管执法机体构；

月内电商转播跨国企业薇娅，因偷税漏税被罚13.41亿，旗下转播间被平台封禁。